Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 280 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, TN2106系列
- RS 库存编号:
- 177-9691
- 制造商零件编号:
- TN2106K1-G
- 制造商:
- Microchip
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- RS 库存编号:
- 177-9691
- 制造商零件编号:
- TN2106K1-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 280mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | TN2106 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 360mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 280mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 TN2106 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 360mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.4 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.02mm | ||
汽车标准 否 | ||
这款低阈值增强型（常闭）晶体管采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
无次级击穿
低功率驱动要求
易于并联
低 CISS 和快速切换速度
极好的热稳定性
一体式源极-漏极二极管
高输入阻抗和高增益