Microchip , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 350 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, TN0110系列, TN0110N3-G
- RS 库存编号:
- 177-9742P
- 制造商零件编号:
- TN0110N3-G
- 制造商:
- Microchip
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- 制造商零件编号:
- TN0110N3-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 350mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | TN0110 | |
| 包装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 宽度 | 4.06mm | |
| 长度 | 5.08mm | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 350mA | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 TN0110 | ||
包装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
宽度 4.06mm | ||
长度 5.08mm | ||
高度 5.33mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
该款低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直 DMOS 结构，并运用成熟可靠的硅栅制造工艺。该组合使器件兼具双极结型晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗与正温度系数特性。该器件具有所有 MOS 结构的特点，不会出现热失控和热引起的二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管非常适合多种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容以及快速开关速度。
低阈值 - 最大 2.0V
高输入阻抗
低输入电容 - 典型值 50pF
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入输出漏电流