Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=90 V, 350 mA, TO-39, 通孔安装, 3引脚, 2N6661, 2N6661系列
- RS 库存编号:
- 177-9750
- 制造商零件编号:
- 2N6661
- 制造商:
- Microchip
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- RS 库存编号:
- 177-9750
- 制造商零件编号:
- 2N6661
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 350mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 90V | |
| 包装类型 | TO-39 | |
| 系列 | 2N6661 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 6.25W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 6.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 350mA | ||
最大漏源电压 Vd 90V | ||
包装类型 TO-39 | ||
系列 2N6661 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 6.25W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 6.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip Technology
Microchip Technology 通孔安装 N 通道 MOSFET 是一款具有 90V 漏极源电压和 20V 最大栅极源电压的新型产品。它在 4ohms 的栅源电压下具有 10V 的漏极电阻。它具有 350mA 的连续漏电流和 6.25W 的最大功耗。 此 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 5V 和 10V 。MOSFET 是一种增强模式（通常关闭） MOSFET 、采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。该设备是所有 MOS 结构的一个重要特征、不会出现热失控和热诱发的二次击穿。此垂直 DMOS FET 已针对更低的开关和传导损耗进行了优化。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
特点和优势
•易于并行
• 极好的热稳定性
•无需二次故障
•高输入阻抗和高增益
•集成源排放二极管
•低 CISS 和快速切换速度
•低功率驱动要求
•工作温度范围在 -55°C 和 150°C 之间
应用
•放大器
• 转换器
•驱动器：继电器、液压锤、电磁阀、灯、存储器、显示屏、双极晶体管等
•电机控制
•电源电路
• 开关
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007