Microchip N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 280 mA, TO-236, 贴片安装, 3引脚, TN2106系列
- RS 库存编号:
- 177-9842
- 制造商零件编号:
- TN2106K1-G
- 制造商:
- Microchip
小计（1 包，共 20 件）*
¥87.18
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 + | RMB4.359 | RMB87.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 177-9842
- 制造商零件编号:
- TN2106K1-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 280 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-236 | |
| 系列 | TN2106 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大功率耗散 | 360 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 正向二极管电压 | 1.8V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 280 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-236 | ||
系列 TN2106 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大功率耗散 360 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.4mm | ||
长度 3.04mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
正向二极管电压 1.8V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.02mm | ||
这款低阈值增强型（常闭）晶体管采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
无次级击穿
低功率驱动要求
易于并联
低 CISS 和快速切换速度
极好的热稳定性
一体式源极-漏极二极管
高输入阻抗和高增益
低功率驱动要求
易于并联
低 CISS 和快速切换速度
极好的热稳定性
一体式源极-漏极二极管
高输入阻抗和高增益