制造商编号

Microchip N沟道增强型MOSFET, Id=3 A, 3针, TO-92

RS 库存编号:: 177-9861P
制造商零件编号:: TP0606N3-G
制造商:: Microchip

Microchip N沟道增强型MOSFET, Id=3 A, 3针, TO-92

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RS 库存编号:: 177-9861P
制造商零件编号:: TP0606N3-G
制造商:: Microchip

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Microchip
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	3A
	包装类型	TO-92
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	1W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.8V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Microchip
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 3A
	包装类型 TO-92
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 1W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.8V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet

这款低阈值增强型（常闭）晶体管采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。

低阈值 - 2.0 V（最大值）

高输入阻抗

低输入电容 - 100 pF（典型值）

切换速度快

低接通电阻

无次级击穿

低输入和输出泄漏

Microchip N沟道增强型MOSFET, Id=3 A, 3针, TO-92

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