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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 490 | RMB7.366 |
| 500 + | RMB7.146 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 177-9861P
- 制造商零件编号:
- TP0606N3-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
安装类型 通孔 | ||
这款低阈值增强型（常闭）晶体管采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
低阈值 - 2.0 V（最大值）
高输入阻抗
低输入电容 - 100 pF（典型值）
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
高输入阻抗
低输入电容 - 100 pF（典型值）
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏