Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=1 kV, 6.1 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFPG50系列

RS 库存编号:: 178-0788
制造商零件编号:: IRFPG50PBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=1 kV, 6.1 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFPG50系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 管，共 25 件）*

RMB587.725

(不含税)

RMB664.125

500 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	Per Tube*
25 - 100	RMB23.509	RMB587.73
125 +	RMB21.158	RMB528.95

* 参考价格

RS 库存编号:: 178-0788
制造商零件编号:: IRFPG50PBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	6.1A
	最大漏源电压 Vd	1kV
	系列	IRFPG50
	包装类型	TO-247AC
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	190W
	正向电压 Vf	1.8V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	190nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	5.31mm
	高度	20.7mm
	长度	15.87mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 6.1A
	最大漏源电压 Vd 1kV
	系列 IRFPG50
	包装类型 TO-247AC
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 190W
	正向电压 Vf 1.8V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 190nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 5.31mm
	高度 20.7mm
	长度 15.87mm
	汽车标准否

Datasheet

Vishay IRFPG50 系列功率 MOSFET,1000 V 漏源电压,6.1 A 连续漏电流 - IRFPG50PBF

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业电子产品中的电源开关和控制而设计。它采用TO-247AC封装,用于通孔安装,适用于需要大量电压保持和热容量的应用,同时在宽环境温度范围内工作。

特性和优点：

• 耐受高达1000V的高电压开关应用
• 6.1 A 的连续排放电流额定值可实现持久负载处理
• 漏源接通电阻为 2 Ω,可减少负载下的传导损耗
• 最大功耗为 190 W,可实现更高的功率吞吐量
• 典型栅极电荷为 190 nC,支持可预测的开关行为
• 20 V 栅极-源极限可保护栅极免受过度驱动电压的影响

应用

• 适用于自动化系统中的高压电机驱动级
• 特别适用于需要稳固电压余地的开关电源
• 与工业电气控制面板中的电源转换器配合使用
• 可用于机械驱动系统的负载切换

安装时需要哪种安装方法?

它需要通孔安装方式,并采用TO-247AC型封装,与标准通孔散热器配置兼容。

它在极端温度环境中如何运行?

它的工作温度范围为-55°C至150°C,可在零以下和高温条件下使用,而不会超出这些限制。

需要遵守哪些栅极驱动限制?

最大允许的栅极-源电压为 20 V,因此应设计栅极驱动电路以避免超过此阈值。

需要注意哪些热管理因素?

最大功耗为 190 W,需要有效的散热器和与底盘或专用散热器的热耦合,以保持接线温度在安全范围内。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=1 kV, 6.1 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFPG50系列

批量定价选项