Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 4.1 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFBE系列

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178-0818
制造商零件编号:
IRFBE30PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.1A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

IRFBE

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

78nC

正向电压 Vf

1.8V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

125W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

10.41mm

高度

9.01mm

宽度

4.7 mm

标准/认证

No

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor