Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.1 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFBE30系列
- RS 库存编号:
- 178-0818
- 制造商零件编号:
- IRFBE30PBF
- 制造商:
- Vishay
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- 178-0818
- 制造商零件编号:
- IRFBE30PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | IRFBE30 | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 78nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.1A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 IRFBE30 | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 78nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.41mm | ||
宽度 4.7mm | ||
高度 9.01mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRFBE30系列功率MOSFET,800 V漏源电压,4.1 A连续漏电流 - IRFBE30PBF
此功率 MOSFET 是一款通孔 N 通道晶体管,设计用于工业电子产品的开关和功率控制。它是一款适用于高压应用的增强模式设备,可为严苛的电气系统提供电压处理和栅极驱动功能的组合。
特性和优点：
• 800 V 漏源电压可实现高电压开关应用 • 4.1A 连续漏电流支持中等负载电流 • 3 Ω 最大 Rds 可减少传导过程中的电流损耗 • 78 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • 125W 功耗可管理电源电路中的热应力 • 工作温度范围为-55°C至150°C,可承受广泛的极端温度
应用
• 适用于高电压电源和转换器 • 适用于工业电机驱动开关级 • 用于固态继电器和保护电路 • 可用于自动化面板的负载切换
在设计过程中,我应该遵守哪些栅极电压限制?
栅极驱动必须与源相比保持最大 ±20 V,以防止栅极氧化应力。
如何在 PCB 上进行热管理?
使用 TO‐220AB 封装上的散热器或导热安装解决方案,在额定条件下可耗散高达 125 W 的功率。
在我的设计中,哪些开关特性会影响电磁干扰?
指定的栅极驱动器时的典型栅极电荷为 78 nC,影响上升和下降时间,影响开关过渡和电磁排放。
此设备是否适用于表面安装技术?
它采用TO‐220AB通孔封装,适用于机械安装和传统通孔组装。