Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 9.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB9N60A系列

RS 库存编号:: 178-0821
制造商零件编号:: IRFB9N60APBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 9.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB9N60A系列

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	9.2A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	IRFB9N60A
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	750mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	170W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	49nC
	正向电压 Vf	1.5V
	最高工作温度	150°C
	长度	10.41mm
	高度	9.01mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	4.7mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 9.2A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 IRFB9N60A
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 750mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 170W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC
	正向电压 Vf 1.5V
	最高工作温度 150°C
	长度 10.41mm
	高度 9.01mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 4.7mm
	汽车标准否

Datasheet

Vishay IRFB9N60A 系列功率 MOSFET,600 V 漏源电压,9.2 A 连续漏电流 - IRFB9N60APBF

此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道半导体设备,专为工业电子产品中的开关和功率转换功能而设计。它作为增强模式晶体管运行,采用通孔 TO-220AB 封装,适用于焊接安装应用。该设备专为在设备组件中需要稳健电压处理和中等电流能力的应用而设计。

特性和优点：

• 600V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 9.2A连续漏电流支持持久负载驱动 • 750 mΩ Rds(on)可减少低电流电路中的传导损耗 • 170W 功耗可实现大量散热空间 • 在 Vgs 30V 下的典型栅极电荷为 49nC,便于预测驱动计时 • 额定最高工作温度为150°C,可耐受较高的接点条件

应用

• 适用于线路频率开关模式电源 • 适用于工业电机驱动门级 • 与高电压直流-直流转换器拓扑结构配合使用 • 可用于电动制动和缓冲器网络 • 用于选择通孔安装的实验室和原型设计

为实现可靠的切换,我应该考虑哪些栅极驱动限制?

驱动电压与源相比不应超过 30 V,在该水平下,栅极电荷约为 49 nC,可定义所需的驱动电流和开关计时。

热管理如何影响连续负载下的性能?

使用 170W Pd,需要散热,以保持接点温度低于 150°C 限制,并在不降低热量的情况下实现指定的连续排放电流。

建议使用哪种安装方法来实现机械稳定连接?

TO-220AB封装中的通孔焊接安装提供坚固的机械和热触点,适用于重复热循环。

它能在什么环境温度范围内运行?

它专为低至-55°C和高达150°C的工作温度而设计,如果热设计合适,可在广泛的环境条件下使用。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 9.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB9N60A系列

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