Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=6.6 A, 3针, TO-220FP, IRFI系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 管，共 50 件）*

RMB908.75

(不含税)

RMB1,026.90

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 400 个，准备发货

单位
每单位
Per Tube*
50 - 50RMB18.175RMB908.75
100 - 150RMB17.63RMB881.50
200 +RMB17.101RMB855.05

* 参考价格

RS 库存编号:
178-0825
制造商零件编号:
IRFIB7N50APBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.6A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-220FP

系列

IRFI

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.52Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

52nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

60W

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

宽度

4.83mm

长度

10.63mm

标准/认证

RoHS 2002/95/EC

高度

9.8mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


相关链接