Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=500 V, Id=5 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRF830A系列

RS 库存编号:: 178-0834
制造商零件编号:: IRF830APBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=500 V, Id=5 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRF830A系列

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RS 库存编号:: 178-0834
制造商零件编号:: IRF830APBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	5A
	最大漏源电压 Vd	500V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	IRF830A
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.4Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最大功耗 Pd	74W
	最大栅源电压 Vgs	-30V, +30V
	最高工作温度	150°C
	高度	9.01mm
	标准/认证	RoHS
	长度	10.41mm
	宽度	4.7mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 5A
	最大漏源电压 Vd 500V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 IRF830A
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.4Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最大功耗 Pd 74W
	最大栅源电压 Vgs -30V, +30V
	最高工作温度 150°C
	高度 9.01mm
	标准/认证 RoHS
	长度 10.41mm
	宽度 4.7mm
	汽车标准否

Datasheet

Vishay IRF830A系列功率 MOSFET，500V 漏源电压，5A 连续漏极电流 - IRF830APBF

该功率MOSFET是一款高压N沟道增强型晶体管，专为工商业电子设备的开关与功率转换任务而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛环境，并采用通孔TO-220AB封装，便于安装和散热管理。

特性和优点：

• 500V漏极额定值，适用于高压开关应用
• 最大导通电阻为1.4mΩ，可降低负载下的导通损耗
• 5A连续漏极电流，支持中等电流设计
• 74W最大功耗，可处理大量热量
• 24nC典型栅极电荷，可实现可预测的开关性能
• 30V 栅极耐压能力确保稳健的栅极驱动裕量

应用

• 适用于变频器的高压电源切换
• 适用于工业电机驱动开关级
• 用于实验室设备的分立电源
• 可用于切换电阻性和电感性负载
• 适用于通孔原型制作和维修项目

使用时应考虑哪些热性能因素？

热管理必须考虑74W的耗散额定值

使用合适的电子散热器并按 TO-220AB 封装方向正确安装，可将结温保持在安全限值以内。

栅极驱动对于开关特性有何影响？

栅电荷典型值为24nC，最大Vgs为30V，因此栅极驱动电路的设计应能提供足够的电流以满足所需的上升和下降时间，同时使栅极电压保持在规定限值以下。

哪些环境限制条件规定了其工作范围？

该器件的额定工作温度范围为-55°C至150°C，因此系统设计应确保环境温度和热阻值使结温保持在该范围内。

它是否适用于汽车级设计？

它未被归类为汽车级

当需要汽车级认证时，设计人员应优先考虑汽车专用替代产品。