Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 5 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF830APBF, IRF830A系列

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178-0834
制造商零件编号:
IRF830APBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

JEDEC TO-220AB

系列

IRF830A

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.4Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

74W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

4.7mm

长度

10.41mm

高度

9.01mm

汽车标准

Vishay IRF830A 系列功率 MOSFET,500 V 最大漏源电压,5 A 最大连续漏电流 - IRF830APBF


这款功率 MOSFET 是一款通孔 N 通道增强装置,专为工业电子产品中的高压开关而设计。它专为需要稳健排放到源电压处理和中等电流容量的应用而设计,为散热组件的电源开关提供紧凑型解决方案。

特性和优点:


• 500V Vds 可在工业电路中实现高电压切换 • 5 A 连续漏电流支持稳定负载运行 • 1.4Ω Rds(on),可最大程度地减少负载下的传导损耗 • 74W 最大功耗,可有效处理热量 • 24nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • Vgs ±30V 额定值可在控制信号移动时保护门

应用


• 适用于高压电机驱动前端 • 适用于工业设备中的开关模式电源 • 用于需要通孔安装的电源转换模块 • 可用于控制面板中的继电器更换开关

需要哪种安装方法才能实现可靠的散热?


该设备采用 TO-220AB 封装,用于通孔安装,并受益于连接到插片上的散热器,以实现额定功耗。

栅极电荷对开关性能有何影响?


在额定条件下,典型栅极电荷为 24nC,可确定所需的驱动强度并影响高速应用中的开关损耗和上升/下降时间。

其能在什么温度范围内运行?


该组件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在恶劣的工业热环境中使用。

对门和排水过度应力应考虑哪些保护?


设计人员应包括栅极保护,以保持在 ±30 V 范围内,并实施咬接或夹紧网络,以限制高电压下的漏极瞬变。