Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=600 V, Id=2.2 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRFBC20系列
- RS 库存编号:
- 178-0839
- 制造商零件编号:
- IRFBC20PBF
- 制造商:
- Vishay
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- 178-0839
- 制造商零件编号:
- IRFBC20PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IRFBC20 | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 正向电压 Vf | 2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 2.2A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IRFBC20 | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
正向电压 Vf 2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 9.01mm | ||
宽度 4.7mm | ||
长度 10.41mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRFBC20 系列功率 MOSFET，最大漏源电压 600V，最大功耗 50W - IRFBC20PBF
该功率MOSFET是一款高压N沟道开关晶体管，专为电源转换和控制电路而设计。它作为一种增强型器件运行，适用于宽工业温度范围内的开关和放大任务，并采用通孔TO-220AB封装，便于安装和散热集成。
特性和优点：
• 600V漏源耐压，支持高压开关操作
• 2.2A连续漏极电流，支持中等负载电流
• 导通电阻低至4.4Ω，可在电流受限的情况下降低导通损耗
• 50W的最大功耗，支持持续热负载
• 18nC典型栅极电荷，可实现可预测的开关特性
• 20V栅极额定值，支持常用的栅极驱动电压
• 2.2A连续漏极电流，支持中等负载电流
• 导通电阻低至4.4Ω，可在电流受限的情况下降低导通损耗
• 50W的最大功耗，支持持续热负载
• 18nC典型栅极电荷，可实现可预测的开关特性
• 20V栅极额定值，支持常用的栅极驱动电压
应用
• 适用于高压电源和转换器
• 适用于工业设备的开关模式电源控制器
• 用于电机控制接口的分立驱动装置级应用
• 可用于电源系统的缓冲和钳位功能
• 适用于采用通孔安装的实验室原型制作
• 适用于工业设备的开关模式电源控制器
• 用于电机控制接口的分立驱动装置级应用
• 可用于电源系统的缓冲和钳位功能
• 适用于采用通孔安装的实验室原型制作
它在运行期间能够承受的环境温度是多少？
它能在-55°C至150°C的工业温度范围内运行，因此适用于严苛的高温环境。
应如何安装以实现有效散热？
TO-220AB 通孔封装兼容标准电子散热器，支持 PCB 安装及螺钉固定，从而实现更佳的散热性能。
必须注意哪些栅极驱动限制？
最大栅源电压为20V，因此栅极驱动电路应限制在该电压水平，以避免损坏栅极氧化层。
它是否适用于汽车级应用？
它未标明符合汽车行业标准，因此应避免在强制要求汽车行业认证的场合使用。
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