Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 9.2 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRFS9N60A系列

RS 库存编号:: 178-0850
制造商零件编号:: IRFS9N60APBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 9.2 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRFS9N60A系列

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RS 库存编号:: 178-0850
制造商零件编号:: IRFS9N60APBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	9.2A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	TO-263
	系列	IRFS9N60A
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	750mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	170W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	49nC
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.5V
	最高工作温度	150°C
	高度	4.83mm
	长度	10.67mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	9.65mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 9.2A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 TO-263
	系列 IRFS9N60A
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 750mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 170W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.5V
	最高工作温度 150°C
	高度 4.83mm
	长度 10.67mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 9.65mm
	汽车标准否

Datasheet

Vishay IRFS9N60A系列功率MOSFET,600 V最大漏源电压,9.2 A最大连续漏电流 - IRFS9N60APBF

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道设备,专为工业和电子系统中的开关和功率转换任务而设计。它可在宽温度范围内工作,专为需要高电压能力和稳健热处理的电源组件的表面贴装集成而设计。

特性和优点：

• 600 V 排放耐受电压,可实现高电压切换
• 9.2 A 连续漏电流,可稳定处理负载
• 750 mΩ 导通电阻可最大限度减少传导损耗
• 49 nC 典型栅极电荷,可预测开关能量
• 170W 功耗支持更高的功率吞吐量
• 150°C的最高接点温度,适用于高温运行

应用

• 适用于电源中的SMPS主开关功能
• 适用于工业驱动器中的高压变频器级别
• 用于开关模式电机控制器,可处理高电压
• 可用于功率因数校正前端电路

组装时需要哪种安装形式?

它采用TO-263封装,用于表面安装,带三个引脚,适合标准散热印刷电路板尺寸。

必须遵守哪些栅极限制以避免损坏?

栅极不得与源相比超过±30V,以防止栅极氧化物过度压力。

热管理对性能有何影响?

额定耗散功率为 170 W,最大接点温度为 150 °C,需要足够的PCB铜和散热片以在重负载下保持接点温度。

哪些环境规格影响材料选择?

该组件符合 RoHS 要求,影响组装中的焊接和材料选择。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 9.2 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRFS9N60A系列

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