Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=500 V, Id=2.5 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRF820系列
- RS 库存编号:
- 178-0851
- 制造商零件编号:
- IRF820PBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 管，共 50 件）*
RMB339.75
(不含税)
RMB383.90
(含税)
有库存
- 400 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB6.795 | RMB339.75 |
| 250 + | RMB6.115 | RMB305.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-0851
- 制造商零件编号:
- IRF820PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | IRF820 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 IRF820 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.7mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 10.41mm | ||
高度 9.01mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRF820 系列功率 MOSFET，500V 漏源电压，50W 功耗 - IRF820PBF
这款功率MOSFET是一款高压开关晶体管，专为通孔安装而设计，适用于电源转换和控制电路。它作为一种N沟道增强型器件运行，用于在电子系统中对高压负载进行开关或放大，同时符合RoHS要求。
特性和优点：
• 500V 漏源额定值可实现高压开关能力
• 50W功耗支持持续功率处理
• 2.5A 持续漏极电流，可实现中等负载的导通
• 3Ω最大导通电阻，可降低轻载条件下的导通损耗
• 24nC典型栅极电荷，可实现合理的开关速度控制
• 工作温度范围为-55°C 至 150°C，适用于广泛的热环境
• 50W功耗支持持续功率处理
• 2.5A 持续漏极电流，可实现中等负载的导通
• 3Ω最大导通电阻，可降低轻载条件下的导通损耗
• 24nC典型栅极电荷，可实现合理的开关速度控制
• 工作温度范围为-55°C 至 150°C，适用于广泛的热环境
应用
• 适用于 SMPS 初级侧开关级
• 适用于高压灯和加热器控制器
• 与分立式电机驱动前端配合使用，适用于小电流电机
• 可用于业余爱好者的高压电源
• 用于需要坚固耐用的通孔型零件的实验室台架测试装置
• 适用于高压灯和加热器控制器
• 与分立式电机驱动前端配合使用，适用于小电流电机
• 可用于业余爱好者的高压电源
• 用于需要坚固耐用的通孔型零件的实验室台架测试装置
它采用什么封装和安装方式？
该器件采用TO-220AB封装，配置为通孔安装，具有三个引脚，便于PCB连接和散热。
为避免损坏，必须遵守哪些栅极电压限制？
栅源电压在任何极性下均不得超过20V，以防止栅氧化层承受应力并导致潜在故障。
正向电压规格对于其在电路中的使用有何影响？
指定的正向电压为1.6V，代表着在规定测试条件下导通时的典型压降，在热计算和效率计算中必须予以考虑。
此元件是否适用于汽车极端温度环境？
它能够耐受 -55°C 至 150°C 的温度，但并未通过车规级认证。
相关链接
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 2.5 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF820PBF, IRF820系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 10 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF740PBF, IRF740系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 8 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF840PBF, IRF840系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 1.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF710PBF, IRF710系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=200 V, 5.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF620PBF, IRF620系列
- Vishay N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=100 V, 5.6 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF510PBF, IRF510系列
- Infineon N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 202 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF1404PBF, HEXFET系列
- Vishay P型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=-60 V, -6.7 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF9Z14PBF, IRF9Z14系列