Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, 2.5 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF820PBF, IRF820系列

RS 库存编号:: 178-0851
制造商零件编号:: IRF820PBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, 2.5 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF820PBF, IRF820系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 管，共 50 件）*

RMB200.35

(不含税)

RMB226.40

400 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	Per Tube*
50 - 200	RMB4.007	RMB200.35
250 +	RMB3.606	RMB180.30

* 参考价格

RS 库存编号:: 178-0851
制造商零件编号:: IRF820PBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	2.5A
	最大漏源电压 Vd	500V
	系列	IRF820
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.6V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	50W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	高度	9.01mm
	长度	10.41mm
	宽度	4.7mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 2.5A
	最大漏源电压 Vd 500V
	系列 IRF820
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.6V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 50W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	高度 9.01mm
	长度 10.41mm
	宽度 4.7mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Vishay IRF820系列功率MOSFET,500 V漏源电压,2.5 A连续漏电流 - IRF820PBF

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业电子产品中的开关和放大任务而设计。它适用于需要高排放源电压和中等连续电流的应用,可在宽温度范围内工作,并采用标准通孔封装,便于板装。

特性和优点：

• 500V 漏源额定值可实现高电压切换
• 2.5A 连续电流支持中等负载处理
• 50W 功耗可实现持久的热性能
• 3Ω导通电阻可减少与导电相关的损耗
• 24 nC 典型栅极电荷,提供可预测的驱动要求
• Vgs ±20V 容差可保护栅极免受过电压事件的影响

应用

• 适用于工业电源中的SMPS初级侧切换
• 特别适用于需要高电压晶体管的线性放大器级
• 用于中等电流的电机驱动接口电路
• 可用于高压测试架和实验室电源
• 适用于控制面板中的通孔改装设计

此设备需要哪种安装方法?

它采用TO-220AB封装,用于通孔组装,支持传统焊接和散热选项。

它在运行过程中可承受的热量范围是多少?

它可在 -55 °C 至 150 °C 温度范围内工作,可在恶劣环境和高接点场景中使用。

栅极驱动器对开关行为有何影响?

在额定栅极电压下,典型栅极电荷为 24 nC,可确定所需的驱动电流和开关速度妥协。

功耗管理需要考虑哪些因素?

具有 50 W 最大耗散功率,需要外部散热器和安装方向,以在更高负载下保持安全的接点温度。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 2.5 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF820PBF, IRF820系列

批量定价选项