Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=200 V, 5.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF620PBF, IRF620系列

RS 库存编号:: 178-0854
制造商零件编号:: IRF620PBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=200 V, 5.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF620PBF, IRF620系列

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	5.2A
	最大漏源电压 Vd	200V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	IRF620
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.8Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	50W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	14nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.8V
	最高工作温度	150°C
	长度	10.41mm
	高度	9.01mm
	标准/认证	RoHS 2002/95/EC
	宽度	4.7mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 5.2A
	最大漏源电压 Vd 200V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 IRF620
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.8Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 50W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.8V
	最高工作温度 150°C
	长度 10.41mm
	高度 9.01mm
	标准/认证 RoHS 2002/95/EC
	宽度 4.7mm
	汽车标准否

Datasheet

Vishay IRF620系列功率MOSFET,200 V最大漏源电压,5.2 A最大连续漏电流 - IRF620PBF

这款功率 MOSFET 是一款通孔 N 通道增强装置,专为工业和电子控制系统中的高压开关而设计。它为需要中等电流和较大电压容差的开关和放大任务提供实用的解决方案,并采用TO-220AB封装,适用于传统散热器。

特性和优点：

• 200 V 漏源额定值可实现高电压开关应用
• 5.2 A 连续漏电流支持中等负载电流
• 0.8Ω Rds(on) 可为热设计提供可预测的传导损耗
• 50W 功耗,可通过散热器持久运行
• 14nC 典型栅极电荷,可实现高效的栅极驱动设计
• 栅极源耐受高达 20 V,可在控制过程中防止过驱动

应用

• 适用于自动化设备的电机驱动器级别
• 适用于处理中间电压的开关模式电源
• 用于控制面板中的继电器替换固态开关
• 可用于需要通孔安装的实验室电源项目
• 与散热组件配合使用,用于工业电力转换

它在什么温度范围内可用于工业用途?

它在 -55°C 至 150°C 的宽环境范围内工作,可在冷启动和高温外壳中部署。

电路板上需要多少引脚和哪种安装方式?

它具有三个电气端子,设计用于在镀锌PCB孔中进行通孔安装。

为确保安全运行,应考虑哪些栅极驱动因素?

驱动电路必须在 ±20 V 栅极-源窗口内限制栅极偏移,并在调整驱动器电流和开关速度时考虑 14 nC 典型电荷。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=200 V, 5.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF620PBF, IRF620系列

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