STMicroelectronics 单 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=125 V, 20 A, M174, 表面安装, 4引脚, SD2931系列
- RS 库存编号:
- 178-1388
- 制造商零件编号:
- SD2931-10W
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 托盘，共 25 件）*
¥14,783.875
(不含税)
¥16,705.775
(含税)
有库存
- 另外 75 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB591.355 | RMB14,783.88 |
| 125 + | RMB573.614 | RMB14,340.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-1388
- 制造商零件编号:
- SD2931-10W
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 工作频率 | 230 MHz | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 125V | |
| 输出功率 | 150W | |
| 系列 | SD2931 | |
| 包装类型 | M174 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | 65°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 宽度 | 24.89 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 26.67mm | |
| 高度 | 4.11mm | |
| 典型功率增益 | 14dB | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
工作频率 230 MHz | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 125V | ||
输出功率 150W | ||
系列 SD2931 | ||
包装类型 M174 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 65°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
晶体管配置 单 | ||
宽度 24.89 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 26.67mm | ||
高度 4.11mm | ||
典型功率增益 14dB | ||
汽车标准 否 | ||
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。