Name: Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 84 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF1010EPBF, HEXFET系列
Brand: Infineon
SKU: 178-1449
Price: 5.66 CNY
Availability: BackOrder

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，84A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRF1010EPBF

这款 MOSFET 专为各种电子应用中的高性能而设计。其低导通电阻特性和高连续漏极电流能力使其成为自动化和电源管理系统工程师的关键元件。该设备在恶劣环境中表现出色，可确保在宽广的温度范围内稳定运行。

特点和优势

• 低 RDS（on）有助于将大电流时的功率损耗降至最低

• 高达 84A 的高连续漏极电流能力提高了效率

• 采用紧凑型 TO-220AB 封装，便于安装

• 快速开关功能提高了整体电路性能

• 完全符合雪崩等级，可为设备提供更多保护

应用

• 有效调节电压的电源电路

• 精确运行的电机控制系统

• 大电流驱动电路

• 电子设备中的信号放大

该产品的热阻值是多少？

结点到外壳的热阻为 0.75°C/W，外壳到散热片在平整、涂油表面上的热阻为 0.50°C/W，实现了高效散热。

它能在高温环境下安全运行吗？

是的，它能在高达 175°C 的温度下有效工作，因此适用于对热量有要求的应用场合。

它在高温下能承受哪种类型的电流？

在 100°C 的外壳温度下，它可以管理 59A 的持续漏极电流，确保在负载条件下可靠运行。

栅极电荷对其性能有何影响？

它在 10V 电压下的典型栅极电荷为 130 nC，可在动态应用中实现快速开关和高效运行。

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位	Per Tube*
50 - 200	RMB5.009	RMB250.45
250 +	RMB4.508	RMB225.40

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	84A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	12mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	130nC
	最大功耗 Pd	200W
	最高工作温度	175°C
	高度	8.77mm
	标准/认证	No
	长度	10.54mm
	宽度	4.69 mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 84A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 12mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 130nC
	最大功耗 Pd 200W
	最高工作温度 175°C
	高度 8.77mm
	标准/认证 No
	长度 10.54mm
	宽度 4.69 mm
	汽车标准否

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 84 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF1010EPBF, HEXFET系列