Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 9.4 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU120NPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 178-1507
制造商零件编号:: IRFU120NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 9.4 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU120NPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 178-1507
制造商零件编号:: IRFU120NPBF
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	9.4A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	HEXFET
	包装类型	IPAK
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	210mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	25nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	48W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	宽度	2.3 mm
	高度	6.1mm
	长度	6.6mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 9.4A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 HEXFET
	包装类型 IPAK
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 210mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 48W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	宽度 2.3 mm
	高度 6.1mm
	长度 6.6mm
	汽车标准否

IRFU120NPBF Data Sheet

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，9.4A 最大连续漏极电流，100V 最大漏极源电压 - IRFU120NPBF

这款 N 沟道 MOSFET 专为电子和电气领域的高性能应用而设计。该器件的最大连续漏极电流为 9.4A，漏极-源极电压为 100V，可为各种系统提供可靠的功能。该 MOSFET 采用 IPAK TO-251 外壳封装，为高效功率处理提供了紧凑的解决方案。

特点和优势

• 专为增强模式运行而设计，提供可靠的开关功能

• 48 瓦的高功率耗散能力增强了性能

• 适用于坚固耐用的电子设计中的大电流应用

• 单 Si MOSFET 配置确保简化集成

应用

• 用于自动化系统的电源管理解决方案

• 用于工业机械的电机控制电路中

• 用于可再生能源系统的功率转换器

• 适用于需要可靠供电的消费电子产品

• 与电气和机械领域的电机驱动装置融为一体

Rds(on) 值偏低有何意义？

210mΩ 的低 Rds(on)值确保了最小的导通电阻，从而提高了效率并减少了运行期间的发热量。在功率损耗可能很大的高频应用中，这一特性尤为重要。

MOSFET 在极端温度下的性能如何？

该设备的最高工作温度为 +175°C ，最低温度为 -55°C，可在苛刻的环境中保持稳定的性能。这种弹性使其适用于温度波动频繁的各种应用场合。

增强模式能为电路设计师带来哪些好处？

增强模式允许晶体管处于正常关断状态，从而提高电路稳定性，并防止在非工作期间产生不必要的电流。这一功能为设计人员提供了更强的系统电源管理控制能力。

这种 MOSFET 能否用于大功率应用？

这款 MOSFET 的功率耗散能力为 48W，最大连续漏极电流为 9.4A，非常适合大功率应用。其坚固耐用的特性可确保在苛刻的电气环境下仍能保持可靠性。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 9.4 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU120NPBF, HEXFET系列