Vishay Siliconix N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
178-3670
制造商零件编号:
SiDR392DP-T1-GE3
制造商:
Vishay Siliconix
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品牌

Vishay Siliconix

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

900μΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

+20V, +6V

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

125W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

125nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

5mm

长度

5.99mm

高度

1.07mm

汽车标准

否

豁免

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

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