Vishay Siliconix P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 10 A, SC-70-6L, 贴片安装, 6引脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
178-3710
制造商零件编号:
SQA403EJ-T1_GE3
制造商:
Vishay Siliconix
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品牌

Vishay Siliconix

通道类型

P

最大连续漏极电流

10 A

最大漏源电压

30 V

系列

TrenchFET

封装类型

SC-70-6L

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

30 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最小栅阈值电压

1.5V

最大功率耗散

13.6 W

晶体管配置

最大栅源电压

±20 V

宽度

1.35mm

典型栅极电荷@Vgs

26 nC @ 10 V

长度

2.2mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+175 °C

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.2V

汽车标准

AEC-Q101

高度

1mm

豁免

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。