Vishay Siliconix N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=150 A, 8针, TO-263, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
178-3725
制造商零件编号:
SQM40022EM_GE3
制造商:
Vishay Siliconix
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品牌

Vishay Siliconix

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

150A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

106nC

最大功耗 Pd

150W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

高度

11.3mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

豁免

COO (Country of Origin):
TW
TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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