Vishay Siliconix P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 3.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, Si2319DDS-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 178-3853P
- 制造商零件编号:
- Si2319DDS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
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- 178-3853P
- 制造商零件编号:
- Si2319DDS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 100mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.7W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.6A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 100mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.7W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.04mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
高度 1.02mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay
Vishay 表面贴装 P 通道 MOSFET 是一款新时代的产品、具有 40V 的漏电压和 20V 的最大栅源电压。它在 75mohms 的栅源电压下具有 10V 的漏极电阻。它的最大功耗为 1.7W 、连续漏电电流为 3.6A 。此 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V 。MOSFET 经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围在 -55°C 和 150°C 之间
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•蓄电池开关
•负载开关
•电机驱动控制
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•已测试 RG
• UIS 已测试