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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay Siliconix
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	2 A
	最大漏源电压	60 V
	系列	TrenchFET
	封装类型	SOT-23
	安装类型	贴片
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	600 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	0.46V
	最小栅阈值电压	1V
	最大功率耗散	3 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	±8 V
	宽度	1.4mm
	晶体管材料	Si
	长度	3.04mm
	每片芯片元件数目	1
	典型栅极电荷@Vgs	4.5 V 时，2 常闭
	最高工作温度	+175 °C
	最低工作温度	-55 °C
	汽车标准	AEC-Q101
	高度	1.02mm
	正向二极管电压	1.2V

	选择全部
	品牌 Vishay Siliconix
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 2 A
	最大漏源电压 60 V
	系列 TrenchFET
	封装类型 SOT-23
	安装类型贴片
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 600 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 0.46V
	最小栅阈值电压 1V
	最大功率耗散 3 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 ±8 V
	宽度 1.4mm
	晶体管材料 Si
	长度 3.04mm
	每片芯片元件数目 1
	典型栅极电荷@Vgs 4.5 V 时，2 常闭
	最高工作温度 +175 °C
	最低工作温度 -55 °C
	汽车标准 AEC-Q101
	高度 1.02mm
	正向二极管电压 1.2V

Datasheet

豁免

COO (Country of Origin):: CN

Vishay

Vishay 表面贴装 N 通道 MOSFET 是一款新时代的产品、具有 60V 的漏电源电压和 8V 的最大栅源电压。它在栅源电压为 4.5V 时具有 240mohms 的漏极电阻。它的最大功耗为 3W 、连续漏电电流为 2A 。它的最小和最大行驶电压为 1.5V 和 4.5V 。它用于汽车应用。MOSFET 经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。

特点和优势

• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围在 -55°C 和 175°C 之间
• TrenchFET 功率 MOSFET

认证

• AEC- Q101
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•已测试 RG
• UIS 已测试

单位	每单位	每包*
25 - 725	RMB3.762	RMB94.05
750 - 1475	RMB3.649	RMB91.23
1500 +	RMB3.54	RMB88.50

Vishay Siliconix N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, TrenchFET系列

Vishay

特点和优势

认证

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。