Vishay Siliconix N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 178-3877P
- 制造商零件编号:
- SQ2364EES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
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- 制造商零件编号:
- SQ2364EES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最大功耗 Pd | 3W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最大功耗 Pd 3W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.4 mm | ||
长度 3.04mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.02mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay
Vishay 表面贴装 N 通道 MOSFET 是一款新时代的产品、具有 60V 的漏电源电压和 8V 的最大栅源电压。它在栅源电压为 4.5V 时具有 240mohms 的漏极电阻。它的最大功耗为 3W 、连续漏电电流为 2A 。它的最小和最大行驶电压为 1.5V 和 4.5V 。它用于汽车应用。MOSFET 经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围在 -55°C 和 175°C 之间
• TrenchFET 功率 MOSFET
认证
• AEC- Q101
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
•已测试 RG
• UIS 已测试