Vishay Siliconix N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 12 A, SC-70-6L, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 178-3901P
- 制造商零件编号:
- SiA106DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
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- 178-3901P
- 制造商零件编号:
- SiA106DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SC-70-6L | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0185Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 19W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SC-70-6L | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0185Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 19W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.9nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
长度 2.2mm | ||
宽度 1.35 mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS – Qoss