Vishay Siliconix N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=24.5 A, 8针, SO-8L, SQJ872EP系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 750 件 (以卷装提供)*

RMB6,345.75

(不含税)

RMB7,170.75

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有限的库存
  • 另外 2,920 件在 2026年9月28日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
750 - 1490RMB8.461
1500 +RMB8.21

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
178-3903P
制造商零件编号:
SQJ872EP-T1_GE3
制造商:
Vishay Siliconix
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay Siliconix

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

24.5A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

SO-8L

系列

SQJ872EP

安装类型

PCB

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0395Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最大功耗 Pd

55W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

宽度

5mm

高度

1.07mm

长度

5.99mm

汽车标准

AEC-Q101

豁免

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SQJ872EP 系列 MOSFET,150V 漏源电压,24.5A 连续漏极电流 - SQJ872EP-T1_GE3


该MOSFET是一种功率开关器件,专为严苛环境中的高压、大电流应用而设计。它用作 N ‑沟道增强型晶体管,适用于开关和电源转换用途。该器件采用小外形封装,适用于PCB安装,并按照符合行业环保标准的规范制造。

特性和优点:


• 低导通电阻 0.0395Ω,可降低导通损耗
• 150V的高耐压能力,提供稳健的开关裕量
• 持续电流额定值24.5A,支持大负载电流
• 栅极电荷14nC,可实现高效开关控制
• 功耗55W,可承受持续热负载
• 宽栅极容差±20V,栅极驱动设计更灵活

应用


• 适用于需要符合AEC‑Q101标准的汽车电源级应用
• 适用于工业电机驱动开关阵列
• 用于高压系统的DC-DC转换器
• 可用于电源的同步整流
• 适用于变频器和 UPS 前端开关级应用

在严苛的安装环境中,它能耐受的温度范围是多少?


它的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,支持极端工业和汽车温度条件。

它对电路板组装采用何种封装和安装方式?


该器件采用 SO‑8L 封装,专为 PCB 安装而设计,可简化紧凑组件的集成。

其正向电压对系统设计有何影响?


在规定条件下,正向导通压降为1.2V,该数值应纳入功耗计算和热‑管理评估中。

该器件是否符合受监管的制造及环境要求?


它符合RoHS指令,表明其元件材料限制了特定有害物质的使用。

相关链接