制造商编号

Vishay Siliconix N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 75 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SQJA76EP-T1_GE3, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 178-3916P
制造商零件编号:: SQJA76EP-T1_GE3
制造商:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 75 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SQJA76EP-T1_GE3, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 178-3916P
制造商零件编号:: SQJA76EP-T1_GE3
制造商:: Vishay Siliconix

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay Siliconix
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	75A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	TrenchFET
	包装类型	SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	5mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	66W
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	66nC
	最高工作温度	175°C
	长度	5.99mm
	标准/认证	No
	高度	1.07mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay Siliconix
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 75A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 TrenchFET
	包装类型 SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 5mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 66W
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 66nC
	最高工作温度 175°C
	长度 5.99mm
	标准/认证 No
	高度 1.07mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

TrenchFET® power MOSFET

Vishay Siliconix N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 75 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SQJA76EP-T1_GE3, TrenchFET系列

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

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