Vishay Siliconix N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 250 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 7引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 178-3926P
- 制造商零件编号:
- SQM40016EM_GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
小计 5 件 (按连续条带形式提供)*
¥131.18
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 + | RMB26.236 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-3926P
- 制造商零件编号:
- SQM40016EM_GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 250 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻值 | 1 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 163 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 高度 | 11.3mm | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 250 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻值 1 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 3.5V | ||
最大功率耗散 300 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 163 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.67mm | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.83mm | ||
高度 11.3mm | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- TW
TrenchFET® power MOSFET
Package with low thermal resistance
Package with low thermal resistance