Vishay Siliconix , 2 N型沟道 双 增强型 功率 MOSFET, Vds=30 V, 30 A, PowerPAIR 3 x 3, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 178-3944P
- 制造商零件编号:
- SiZ350DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
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|---|---|
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- 178-3944P
- 制造商零件编号:
- SiZ350DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAIR 3 x 3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 最大功耗 Pd | 16.7W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 3 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAIR 3 x 3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.1nC | ||
最低工作温度 150°C | ||
最大功耗 Pd 16.7W | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最高工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 | ||
长度 3mm | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 3 mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
高侧和低侧 MOSFET 形成优化的
组合，可实现 50% 占空比
经优化的 RDS - Qg 和 RDS - Qgd FOM 提高了
高频切换的效率
应用
同步降压
直流/直流转换
半桥
POL