Vishay Siliconix N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=6 A, 8针, PowerPAK 1212, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
178-3956
制造商零件编号:
SQS944ENW-T1_GE3
制造商:
Vishay Siliconix
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品牌

Vishay Siliconix

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.6nC

最大功耗 Pd

27.8W

正向电压 Vf

0.82V

最大栅源电压 Vgs

20V

晶体管配置

双

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

3.15mm

长度

3.15mm

高度

1.07mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

豁免

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® 功率 MOSFET

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