Vishay Siliconix N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 14.2 A, PowerPAK 1212-8, 贴片安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 178-3962P
- 制造商零件编号:
- SiS110DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 + | RMB3.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-3962P
- 制造商零件编号:
- SiS110DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 14.2 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 70 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 4V | |
| 最大功率耗散 | 24 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.5 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 宽度 | 3.15mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 14.2 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 70 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 4V | ||
最大功率耗散 24 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.15mm | ||
宽度 3.15mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 1.07mm | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
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