Vishay Siliconix N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 14.2 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiS110DN系列

RS 库存编号:: 178-3962P
制造商零件编号:: SiS110DN-T1-GE3
制造商:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 14.2 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiS110DN系列

小计 25 件 (按连续条带形式提供)*

RMB110.40

(不含税)

RMB124.75

在 2026年11月02日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
25 +	RMB4.416

* 参考价格

RS 库存编号:: 178-3962P
制造商零件编号:: SiS110DN-T1-GE3
制造商:: Vishay Siliconix

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay Siliconix
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	14.2A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	PowerPAK 1212
	系列	SiS110DN
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	70mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	8.5nC
	最大功耗 Pd	24W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	高度	1.07mm
	长度	3.15mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	3.15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay Siliconix
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 14.2A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 PowerPAK 1212
	系列 SiS110DN
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 70mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.5nC
	最大功耗 Pd 24W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	高度 1.07mm
	长度 3.15mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 3.15mm
	汽车标准否

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Siliconix SiS110DN 系列 MOSFET,100 V 漏源电压,14.2 A 连续漏电流 - SiS110DN-T1-GE3

这款 n 通道 MOSFET 是表面贴装开关晶体管,专为工业系统中的功率转换和控制应用而设计。它作为增强模式设备运行,能够处理中等至高电压和电流,在紧凑型表面贴装组件中提供高效开关。

特性和优点：

• 100 V 漏源额定值可实现高电压开关应用 • 14.2 A 连续漏电流支持大负载电流 • 70 mΩ Rds(on),可最大程度地减少运行过程中的导电损耗 • 8.5nC 栅极电荷可降低开关能量和驱动要求 • 24W 功耗可在狭窄布局中管理热负载 • 150°C 最高接点温度可实现高运行条件

应用

• 适用于自动化设备中的直流-直流转换器开关级 • 适用于工厂系统中的电机驱动半桥电路 • 用于工业控制装置的电源管理 • 可用于配电模块中的负载切换

组装时需要哪种安装方式?

它采用紧凑型PowerPAK 1212表面贴装封装,专为焊接PCB组件和薄型电路板布局而设计。

它在服务过程中能承受多大的温度范围?

它的额定工作温度范围为-55°C(环境温度)至150°C(最大接点温度),可在热变化较大的环境中使用。

设计人员应遵守哪些栅极电压限制?

该设备允许高达 20V 的栅极源电压

设计应确保栅极驱动器保持在此限制范围内,以保护栅极氧化物。

该封装提供多少引脚用于电路集成?

该封装包含八个引脚,可容纳排放、源和栅极连接,并有助于在 PCB 上进行热路和电气路由。

此部件是否专为汽车用途?

它不指定符合汽车标准,不应在需要强制性的汽车级认证的情况下选择。

Vishay Siliconix N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 14.2 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiS110DN系列