Vishay Siliconix N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=14.2 A, 8针, PowerPAK 1212, SiS110DN系列

RS 库存编号:: 178-3962P
制造商零件编号:: SiS110DN-T1-GE3
制造商:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=14.2 A, 8针, PowerPAK 1212, SiS110DN系列

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RS 库存编号:: 178-3962P
制造商零件编号:: SiS110DN-T1-GE3
制造商:: Vishay Siliconix

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay Siliconix
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	14.2A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	PowerPAK 1212
	系列	SiS110DN
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	70mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	8.5nC
	最大功耗 Pd	24W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.15mm
	高度	1.07mm
	标准/认证	RoHS
	长度	3.15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay Siliconix
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 14.2A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 PowerPAK 1212
	系列 SiS110DN
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 70mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.5nC
	最大功耗 Pd 24W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.15mm
	高度 1.07mm
	标准/认证 RoHS
	长度 3.15mm
	汽车标准否

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SiS110DN 系列 MOSFET，100V 漏源电压，14.2A 连续漏极电流 - SiS110DN-T1-GE3

该MOSFET是一款表面贴装型N沟道晶体管，专为紧凑型电子系统中的开关和电源管理而设计。它可在宽环境温度范围内工作，适用于需要兼顾电压处理能力、电流承载能力和适中栅极电荷以实现高效控制的应用。

特性和优点：

• 100V 漏电容差可实现高压切换能力
• 70mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 14.2A 连续漏极电流支持大负载电流
• 24W功耗支持持续功率处理
• 8.5nC典型栅极电荷有助于实现灵敏的栅极驱动
• ±20V的栅源额定值提供稳健的栅极电压裕量

应用

• 适用于DCDC转换器开关级应用
• 适合电机驱动的低边开关应用
• 用于电源的同步整流
• 可用于电信设备的负载开关
• 适用于电池管理和配电

能可靠运行的温度范围是多少？

该器件规定的工作温度范围为-55°C至150°C，可在温度变化较大的环境中使用。

该封装如何支持PCB组装和散热？

该器件采用紧凑型 PowerPAK1212 封装，适用于薄型表面贴装，并能向PCB实现良好的热传导。

鉴于栅极电荷，有哪些栅极驱动需要考虑的因素？

其典型栅极电荷为8.5 nC，栅极驱动器应能提供和吸收足够的电流，以便以所需速度进行开关操作，同时避免过高的驱动损耗。

该元件是否有任何监管限制？

该元件符合有关电子组件中受限物质的 RoHS 要求。