onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 51 A, Power33封装, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 178-4250
- 制造商零件编号:
- FDMC010N08C
- 制造商:
- onsemi
不可供应
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- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 51 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | Power33 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 52 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 51 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 Power33 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 10 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 52 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 3.4mm | ||
长度 3.4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 0.75mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
这款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先进 PowerTrench® 工艺生产，该工艺内置了屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
低 RDS（接通）和 Qg
极低 Qrr
降低切换噪声/EMI
优点：
最大限度减少传导和切换损耗
最大限度减少 EMI 和电压过冲
应用：
高性能直流-直流转换器
交流-直流同步整流器
电动机控制
太阳能
最终产品：
网通/电信
交流适配器
电动工具
极低 Qrr
降低切换噪声/EMI
优点：
最大限度减少传导和切换损耗
最大限度减少 EMI 和电压过冲
应用：
高性能直流-直流转换器
交流-直流同步整流器
电动机控制
太阳能
最终产品：
网通/电信
交流适配器
电动工具