onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 45 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚

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RS 库存编号:
178-4294
制造商零件编号:
NVD5C478NLT4G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

45 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

7.7 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.2V

最小栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

30 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

±20 V

长度

6.73mm

最高工作温度

+175 °C

宽度

6.22mm

典型栅极电荷@Vgs

92 nC @ 4.5 V

每片芯片元件数目

1

正向二极管电压

1.2V

高度

2.25mm

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
VN
汽车功率 MOSFET 采用 DPAK 封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。适用于汽车应用。

特点
低接通电阻
高电流容量

支持 PPAP

优点
最低传导损耗
可靠负载性能
电压过应力保护
应用
低侧驱动器
高侧驱动器
电动机驱动器
最终产品
汽车传动系统
汽车 HVAC 电动机
ABS 压力泵

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