onsemi , 2 N型沟道 双 增强型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 27 A, DFN, 表面安装, 8引脚

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RS 库存编号:
178-4300
制造商零件编号:
NVMFD5C478NT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

27A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

DFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

17mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.84V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

175°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.3nC

最大功耗 Pd

23W

晶体管配置

最高工作温度

-55°C

宽度

6.1 mm

长度

5.1mm

高度

1.05mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。适用于汽车应用。

特点

低接通电阻

高电流容量

支持 PPAP

NVMFD5C478NWF - 可润侧翼产品

优点

最低传导损耗

可靠负载性能

适用于汽车应用

增强型光学检验

应用

电磁阀驱动器

低侧/高侧驱动器

最终产品

汽车发动机控制器

防抱死制动系统