onsemi N沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=27 A, 8针, DFN

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 1500 件）*

RMB9,790.50

(不含税)

RMB11,064.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年10月06日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
1500 - 1500RMB6.527RMB9,790.50
3000 - 4500RMB6.266RMB9,399.00
6000 +RMB6.14RMB9,210.00

* 参考价格

RS 库存编号:
178-4300
制造商零件编号:
NVMFD5C478NT1G
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

27A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

DFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

17mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

23W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.84V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.3nC

晶体管配置

双

最高工作温度

+175°C

宽度

6.1mm

长度

5.1mm

标准/认证

No

高度

1.05mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。适用于汽车应用。

特点

低接通电阻

高电流容量

支持 PPAP

NVMFD5C478NWF - 可润侧翼产品

优点

最低传导损耗

可靠负载性能

适用于汽车应用

增强型光学检验

应用

电磁阀驱动器

低侧/高侧驱动器

最终产品

汽车发动机控制器

防抱死制动系统

相关链接