onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 45 A, TO-252, 表面安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 178-4401P
- 制造商零件编号:
- NVD5C478NLT4G
- 制造商:
- onsemi
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- NVD5C478NLT4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 92nC | |
| 最大功耗 Pd | 30W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.25mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 45A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 92nC | ||
最大功耗 Pd 30W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22 mm | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.25mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- VN
汽车功率 MOSFET 采用 DPAK 封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。适用于汽车应用。
特点
低接通电阻
高电流容量
支持 PPAP
优点
最低传导损耗
可靠负载性能
电压过应力保护
应用
低侧驱动器
高侧驱动器
电动机驱动器
最终产品
汽车传动系统
汽车 HVAC 电动机
ABS 压力泵