onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 240 A, H-PSOF8L, 贴片安装, 8引脚

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178-4421
制造商零件编号:
FDBL86066-F085
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

240 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

H-PSOF8L

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

4.1 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

300 W

晶体管配置

最大栅源电压

±20 V

宽度

11.78mm

长度

9.9mm

典型栅极电荷@Vgs

47 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-55 °C

高度

2.4mm

正向二极管电压

1.25V

COO (Country of Origin):
PH
特点
VGS = 10 V、ID = 80 A 时,典型 RDS(接通)= 3.3 mΩ
VGS = 10 V、ID = 80 A 时,典型 Qg(tot) = 47 nc
UIS 能力


应用
汽车发动机控制
传动系统管理
电磁阀和电动机驱动器
电子转向
集成启动器/交流发电机
配电架构和 VRM
用于 12 V 系统的主开关

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。