onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 22 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, FDMC007N08LCDC, FDMC系列
- RS 库存编号:
- 178-4558P
- 制造商零件编号:
- FDMC007N08LCDC
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-4558P
- 制造商零件编号:
- FDMC007N08LCDC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | FDMC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 57W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 22A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 FDMC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 57W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.4mm | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
这款 N 通道 MV MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 的先进 PowerTrench® 工艺生产，该工艺内置了屏蔽栅极技术。该工艺已经过优化，可最大限度地降低通态电阻，同时保持同类最佳的柔软主体二极管
屏蔽栅极 MOSFET 技术
VGS = 10 V、ID = 21 A 时，最大 RDS（接通）= 6.8 mΩ
VGS = 4.5 V、ID = 17 A 时，最大 RDS（接通）= 11.1 mΩ
具有 5 V 驱动能力
比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
降低切换噪声/EMI
MSL1 坚固封装设计
双冷却封装
应用
初级直流-直流 MOSFET
直流-直流和交流-直流同步整流器
电动机驱动器
太阳能