onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 237 A, DFN, 贴片安装, 5引脚

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178-4606
制造商零件编号:
NVMFS5C426NLT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

237 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

DFN

安装类型

贴片

引脚数目

5

最大漏源电阻值

1.2 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2V

最小栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

128 W

晶体管配置

最大栅源电压

±20 V

典型栅极电荷@Vgs

44 nC @ 4.5 V

长度

5.1mm

宽度

6.1mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+175 °C

高度

1.05mm

正向二极管电压

1.2V

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
MY
汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。适用于汽车应用。

特点
小型封装尺寸 (5 x 6 mm)
低 RDS(接通)
低 Qg 和电容
可润侧翼选件
支持 PPAP

优点
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
增强型光学检验

应用
反向电池保护
电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)
开关电源
最终产品
电磁阀驱动器 - ABS,燃油喷射
电动机控制 - EPS、雨刷、风扇、座椅等
负载开关 - ECU、底盘、车身

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。