onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=88 A, 4针, TO-252

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RS 库存编号:
178-4623
制造商零件编号:
NVD5C454NLT4G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

88A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

3.9mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

56W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.25mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
VN
汽车功率 MOSFET 采用 DPAK 封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。适用于汽车应用。

特点

低接通电阻

高电流容量

支持 PPAP

优点

最低传导损耗

可靠负载性能

电压过应力保护

应用

低侧驱动器

高侧驱动器

电动机驱动器

最终产品

汽车传动系统

汽车 HVAC 电动机

ABS 压力泵

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