onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 88 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 178-4623P
- 制造商零件编号:
- NVD5C454NLT4G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 178-4623P
- 制造商零件编号:
- NVD5C454NLT4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 88 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.9 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 56 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 2.25mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 88 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3.9 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 56 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.73mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V | ||
宽度 6.22mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 2.25mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- VN
汽车功率 MOSFET 采用 DPAK 封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。适用于汽车应用。
特点
低接通电阻
高电流容量
支持 PPAP
优点
最低传导损耗
可靠负载性能
电压过应力保护
应用
低侧驱动器
高侧驱动器
电动机驱动器
最终产品
汽车传动系统
汽车 HVAC 电动机
ABS 压力泵
低接通电阻
高电流容量
支持 PPAP
优点
最低传导损耗
可靠负载性能
电压过应力保护
应用
低侧驱动器
高侧驱动器
电动机驱动器
最终产品
汽车传动系统
汽车 HVAC 电动机
ABS 压力泵