onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 42 A, DFN, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 178-4629P
- 制造商零件编号:
- NTMFD5C674NLT1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-4629P
- 制造商零件编号:
- NTMFD5C674NLT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 42 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 14.4 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 37 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 42 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 DFN | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 14.4 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 37 W | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
长度 5.1mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.7 nC @ 4.5 V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 6.1mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 1.05mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
工业功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。
低接通电阻
高电流容量
体积小巧 (5 x 6 mm)
优点
最低传导损耗
可靠负载性能
紧凑设计
应用
电动机控制
同步直流到直流调节器
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
电池管理和保护
最终产品
电池组
电源
旋转无人机
电动工具
以太网供电 (PoE)
高电流容量
体积小巧 (5 x 6 mm)
优点
最低传导损耗
可靠负载性能
紧凑设计
应用
电动机控制
同步直流到直流调节器
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
电池管理和保护
最终产品
电池组
电源
旋转无人机
电动工具
以太网供电 (PoE)