onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, FCH系列
- RS 库存编号:
- 178-4649P
- 制造商零件编号:
- FCH125N65S3R0-F155
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计 8 件 (按管提供)*
¥340.00
(不含税)
¥384.16
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 8 - 14 | RMB42.50 |
| 16 + | RMB41.23 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-4649P
- 制造商零件编号:
- FCH125N65S3R0-F155
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | FCH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 181W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.82 mm | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 FCH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 181W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.82 mm | ||
长度 15.87mm | ||
高度 20.82mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理电磁干扰问题，更易于设计实施。
TJ = 150 oC 时为 700 V
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 439 pF）
超低栅极电荷（典型 Qg = 46 nC）
优化的电容
典型 RDS（接通）= 105 mΩ
内部栅极电阻：0.5 Ω
优点：
低温运行时系统可靠性更高
低切换损耗
低切换损耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
应用：
计算
消费品
工业
最终产品：
笔记本电脑/台式电脑/游戏控制台
电信/服务器
UPS/太阳能
LED 照明/镇流器