onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 12 A, Power88, 表面安装, 4引脚, FCMT250N65S3, FCMT系列

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制造商零件编号:
FCMT250N65S3
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

FCMT

包装类型

Power88

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

250mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

90W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

8mm

宽度

8 mm

高度

1.05mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 oC

Leadless Ultra-thin SMD package

Kelvin contact

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 210 mΩ

Moisture Sensitivity Level 1 guarantee

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

High power density

Low gate noise and switching loss

Low switching loss

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Telecommunication

Industrial

End Products:

Telecom / Server

Adapter

LED Lighting

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