onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FCP125N65S3R0, FCP系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥165.26

(不含税)

¥186.745

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 800 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
5 - 10RMB33.052RMB165.26
15 - 20RMB32.06RMB160.30
25 +RMB31.098RMB155.49

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
178-4662
制造商零件编号:
FCP125N65S3R0
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-220

系列

FCP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

125mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

181W

最大栅源电压 Vgs

30 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

46nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

10.67mm

宽度

4.7 mm

高度

16.3mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗,提供卓越的切换性能,并能承受极端的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理电磁干扰问题,更易于设计实施。

TJ = 150 °C 时为 700 V

低有效输出电容(典型 Coss(eff.) = 439 pF)

超低栅极电荷(典型 Qg = 46 nC)

优化的电容

典型 RDS(接通)= 105 mΩ

内部栅极电阻:0.5 Ω

优点:

低温运行时系统可靠性更高

低切换损耗

低切换损耗

更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡

应用:

计算

消费品

工业

最终产品:

笔记本电脑/台式电脑/游戏控制台

电信/服务器

LCD/LED 电视

LED 照明/镇流器

适配器