onsemi N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 19 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FCP165N65S3, SUPERFET III系列

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制造商零件编号:
FCP165N65S3
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

19A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

SUPERFET III

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

165mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

39nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

154W

最高工作温度

150°C

宽度

4.7 mm

标准/认证

RoHS, Pb-Free, Halide Free

长度

10.67mm

高度

16.3mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)

Internal Gate Resistance: 4.6 Ω

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 140 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Consumer

Industrial

End Products:

Notebook / Desktop computer

Game Console

Telecom / Server

LCD / LED TV

LED Lighting / Ballast

Adapter