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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	19 A
	最大漏源电压	650 V
	封装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	165 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	4.5V
	最小栅阈值电压	2.5V
	最大功率耗散	154 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	±30 V
	典型栅极电荷@Vgs	10 V 时，39 常闭
	每片芯片元件数目	1
	长度	10.67mm
	宽度	4.7mm
	最高工作温度	+150 °C
	高度	16.3mm
	正向二极管电压	1.2V
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 19 A
	最大漏源电压 650 V
	封装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 165 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 4.5V
	最小栅阈值电压 2.5V
	最大功率耗散 154 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 ±30 V
	典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，39 常闭
	每片芯片元件数目 1
	长度 10.67mm
	宽度 4.7mm
	最高工作温度 +150 °C
	高度 16.3mm
	正向二极管电压 1.2V
	最低工作温度 -55 °C

COO (Country of Origin):: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)
Internal Gate Resistance: 4.6 Ω
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 140 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Consumer
Industrial
End Products:
Notebook / Desktop computer
Game Console
Telecom / Server
LCD / LED TV
LED Lighting / Ballast
Adapter

单位	每单位
15 - 20	RMB26.704
25 +	RMB25.906

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 19 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。