Microchip N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=500 V, 30 mA, TO-243, 表面安装, 4引脚, LND150系列
- RS 库存编号:
- 178-5275
- 制造商零件编号:
- LND150N8-G
- 制造商:
- Microchip
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 178-5275
- 制造商零件编号:
- LND150N8-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | TO-243 | |
| 系列 | LND150 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1kΩ | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.6W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 长度 | 4.6mm | |
| 宽度 | 2.6 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30mA | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 TO-243 | ||
系列 LND150 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1kΩ | ||
通道模式 消耗 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.6W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.6mm | ||
长度 4.6mm | ||
宽度 2.6 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管
Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。
特点
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
典型应用
常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信