Microchip N沟道耗尽型MOSFET, Vds=500 V, Id=30 mA, 4针, TO-243, LND150系列

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RS 库存编号:
178-5275
制造商零件编号:
LND150N8-G
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30mA

最大漏源电压 Vd

500V

系列

LND150

包装类型

TO-243

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

1kΩ

通道模式

耗尽

最大功耗 Pd

1.6W

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

4.6mm

高度

1.6mm

宽度

2.6mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管


Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。

特点


高输入阻抗

低输入电容

切换速度快

低接通电阻

无次级击穿

低输入和输出泄漏

典型应用


常开开关

固态继电器

转换器

线性放大器

恒定电流源

电源电路

电信

MOSFET 晶体管，Microchip


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