Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=15.2 A, 8针, TDSON, OptiMOS 3系列

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RS 库存编号:
178-7500
制造商零件编号:
BSC900N20NS3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

15.2A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS 3

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

90mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

62.5W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

150°C

长度

6.1mm

高度

1.1mm

标准/认证

No

宽度

5.35mm

汽车标准

否

豁免

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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