Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 520 mA, SOT-363, 贴片安装, 6引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7265
- 制造商零件编号:
- SI1411DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥10,986.00
(不含税)
¥12,414.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 3,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB3.662 | RMB10,986.00 |
| 15000 + | RMB3.589 | RMB10,767.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7265
- 制造商零件编号:
- SI1411DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 520 mA | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.6 O | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 520 mA | ||
最大漏源电压 150 V | ||
系列 TrenchFET | ||
封装类型 SOT-363 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 2.6 O | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Siliconix SI1411DH 系列 TrenchFET P 通道功率 MOSFET 具有 150 V 的漏极至源电压它用于直流 / 直流电源中的有源钳位电路。
小型，热增强型 SC-70 封装
超低接通电阻
无铅
无卤素
超低接通电阻
无铅
无卤素