Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 19.8 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 180-7285
- 制造商零件编号:
- SI4204DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7285
- 制造商零件编号:
- SI4204DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.006Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最大功耗 Pd | 3.25W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 宽度 | 1.65 mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 19.8A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.006Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最大功耗 Pd 3.25W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.05mm | ||
宽度 1.65 mm | ||
高度 1mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 表面安装双 N 沟道 MOSFET 是一款具有 20V 漏 - 源电压的新时代产品。在 10V 的栅极源电压下，它还具有 4.6mohm 的漏极 - 源电阻。它具有 19.8A 的连续漏极电流。MOSFET 的最大额定功率为 3.25W。 它经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•直流 / 直流转换器
•固定电信
• 笔记本电脑
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21
•经过 RG 测试
• UIS 测试