Vishay P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=-30 V, -4.5 A, PowerPack, 表面安装, 6引脚, SIA931DJ系列
- RS 库存编号:
- 180-7340
- 制造商零件编号:
- SIA931DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7340
- 制造商零件编号:
- SIA931DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -4.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 系列 | SIA931DJ | |
| 包装类型 | PowerPack | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 5W | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.15 mm | |
| 长度 | 2.15mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -4.5A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
系列 SIA931DJ | ||
包装类型 PowerPack | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 5W | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.15 mm | ||
长度 2.15mm | ||
高度 0.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIA931DJ 是双 P 沟道 MOSFET ,漏极至源电压 (VDS) 为 -30V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它采用 Power PAK SC-70 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10VGS 时为 0.065 欧姆, 6VGS 时为 0.008 欧姆。最大漏极电流 -4.5A。
Trench FET Gen III 功率 MOSFET
热增强型 Power PAK SC-70 封装,占地面积小,具有低接通电阻
经过 100 % Rg 测试
