Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=-30 V, Id=-4.5 A, 6针, PowerPack, SIA931DJ系列

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RS 库存编号:
180-7340
制造商零件编号:
SIA931DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

-4.5A

最大漏源电压 Vd

-30V

包装类型

PowerPack

系列

SIA931DJ

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.1Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

5W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.1nC

正向电压 Vf

-1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

晶体管配置

双

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

2.15mm

长度

2.15mm

高度

0.8mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay SIA931DJ 是双 P 沟道 MOSFET ，漏极至源电压 (VDS) 为 -30V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它采用 Power PAK SC-70 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10VGS 时为 0.065 欧姆， 6VGS 时为 0.008 欧姆。最大漏极电流 -4.5A。

Trench FET Gen III 功率 MOSFET

热增强型 Power PAK SC-70 封装，占地面积小，具有低接通电阻

经过 100 % Rg 测试

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