Vishay P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=-30 V, -4.5 A, PowerPack, 表面安装, 6引脚, SIA931DJ系列

可享批量折扣

小计(1 卷,共 3000 件)*

¥4,401.00

(不含税)

¥4,974.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年8月12日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每卷*
3000 - 12000RMB1.467RMB4,401.00
15000 +RMB1.438RMB4,314.00

* 参考价格

RS 库存编号:
180-7340
制造商零件编号:
SIA931DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-4.5A

最大漏源电压 Vd

-30V

系列

SIA931DJ

包装类型

PowerPack

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.1Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.1nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.2V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

5W

晶体管配置

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

2.15 mm

长度

2.15mm

高度

0.8mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay SIA931DJ 是双 P 沟道 MOSFET ,漏极至源电压 (VDS) 为 -30V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它采用 Power PAK SC-70 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10VGS 时为 0.065 欧姆, 6VGS 时为 0.008 欧姆。最大漏极电流 -4.5A。

Trench FET Gen III 功率 MOSFET

热增强型 Power PAK SC-70 封装,占地面积小,具有低接通电阻

经过 100 % Rg 测试